會上，總經(jīng)理助理張奎從電力電子器件、IGBT模塊介紹、小功率系列產(chǎn)品、中功率系列產(chǎn)品、其他類型產(chǎn)品及2021年半導(dǎo)體研究報告等六個方面闡述了關(guān)于半導(dǎo)體器件方面的相關(guān)知識，特別對IGBT模塊的優(yōu)缺點、工作原理、工藝流程及應(yīng)用領(lǐng)域作了詳細(xì)講解。IGBT是由BJT（雙極型三極管）和MOSFET（絕緣柵型場效應(yīng)管）組合成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體器件，作為一種新型電力電子器件，在國際上是公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命具有代表性的產(chǎn)品，已廣泛應(yīng)用到各個領(lǐng)域。

      此次技術(shù)培訓(xùn)內(nèi)容豐富，注重實效，既是一次技術(shù)提升，也是一次工作助推，為進(jìn)一步做好后續(xù)技術(shù)研發(fā)工作和市場營銷推廣奠定了堅實基礎(chǔ)。參會人員表示受益匪淺，將會把學(xué)習(xí)到的知識運用到崗位工作中，為企業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展、高效益增長貢獻(xiàn)力量。